Продукція > IXYS > IXTQ60N20T
IXTQ60N20T

IXTQ60N20T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.98 грн
5+209.30 грн
13+197.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ60N20T IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ60N20T за ціною від 182.73 грн до 491.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ60N20T IXTQ60N20T Виробник : IXYS media-3322086.pdf MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.30 грн
10+347.92 грн
30+285.85 грн
120+244.91 грн
270+219.89 грн
510+183.49 грн
1020+182.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.98 грн
5+260.82 грн
13+236.95 грн
510+235.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T Виробник : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+183.31 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.