| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 362.20 грн |
| 10+ | 288.23 грн |
| 120+ | 230.19 грн |
| 510+ | 204.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ60N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ60N20T за ціною від 213.62 грн до 416.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ60N20T | IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns Mounting: THT Case: TO3P Power dissipation: 500W Gate charge: 73nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube On-state resistance: 40mΩ Reverse recovery time: 118ns |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IXTQ60N20T |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 416.86 грн |
| 5+ | 225.59 грн |
| 12+ | 213.62 грн |