Продукція > IXYS > IXTQ60N20T
IXTQ60N20T

IXTQ60N20T IXYS

IXTA(P,Q)60N20T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+395.76 грн
10+274.38 грн
30+243.07 грн
120+204.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ60N20T IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ60N20T за ціною від 178.77 грн до 495.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ60N20T IXTQ60N20T Виробник : IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.91 грн
10+341.92 грн
30+291.69 грн
120+245.21 грн
510+238.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.57 грн
10+335.67 грн
120+235.72 грн
510+178.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1 Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.