IXTQ60N20T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO3P
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 406.59 грн |
| 10+ | 281.89 грн |
| 30+ | 249.72 грн |
| 120+ | 209.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ60N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ60N20T за ціною від 158.94 грн до 440.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ60N20T | IXYS |
MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTQ60N20T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 440.59 грн |
| 10+ | 298.43 грн |
| 120+ | 209.57 грн |
| 510+ | 158.94 грн |