на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 406.83 грн |
| 10+ | 337.57 грн |
| 30+ | 277.35 грн |
| 120+ | 237.63 грн |
| 270+ | 213.35 грн |
| 510+ | 178.04 грн |
| 1020+ | 177.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ60N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ60N20T за ціною від 177.86 грн до 519.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ60N20T | Виробник : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTQ60N20T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| IXTQ60N20T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|