на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 481.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ64N25P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P, Mounting: THT, Power dissipation: 400W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 250V, Technology: PolarHT™, Case: TO3P, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 105nC, Reverse recovery time: 200ns, On-state resistance: 49mΩ, Drain current: 64A.
Інші пропозиції IXTQ64N25P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ64N25P | Виробник : IXYS |
 MOSFETs 64 Amps 250V 0.049 Rds |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTQ64N25P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P Mounting: THT Power dissipation: 400W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Technology: PolarHT™ Case: TO3P Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 49mΩ Drain current: 64A |
товару немає в наявності |