на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 451.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ64N25P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P, Mounting: THT, Power dissipation: 400W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 105nC, Technology: PolarHT™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: TO3P, Reverse recovery time: 200ns, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 64A, On-state resistance: 49mΩ, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції IXTQ64N25P за ціною від 261.21 грн до 547.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ64N25P | Виробник : IXYS |
 MOSFETs 64 Amps 250V 0.049 Rds |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTQ64N25P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P Mounting: THT Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 105nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO3P Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 64A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |