IXTQ69N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 770.82 грн |
| 5+ | 608.23 грн |
| 10+ | 445.65 грн |
| 50+ | 380.87 грн |
| 100+ | 345.20 грн |
| 250+ | 338.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ69N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTQ69N30P за ціною від 428.76 грн до 839.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ69N30P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTQ69N30P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTQ69N30P Код товару: 132595
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
IXTQ69N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTQ69N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns Case: TO3P Reverse recovery time: 330ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 69A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 156nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXTQ69N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns Case: TO3P Reverse recovery time: 330ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 69A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 156nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товару немає в наявності |