Інші пропозиції IXTQ69N30P за ціною від 332.35 грн до 993.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ69N30P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ69N30P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ69N30P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|