IXTQ75N10P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ75N10P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO3P, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXTQ75N10P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ75N10P | IXYS |
MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTQ75N10P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)