Продукція > IXYS > IXTQ76N25T
IXTQ76N25T

IXTQ76N25T IXYS

IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Reverse recovery time: 148ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO3P
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.68 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ76N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ76N25T за ціною від 299.59 грн до 477.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ76N25T IXTQ76N25T Виробник : IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.36 грн
IXTQ76N25T IXTQ76N25T Виробник : IXYS IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Reverse recovery time: 148ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+477.21 грн
3+ 414.24 грн
4+ 317.12 грн
9+ 299.59 грн
IXTQ76N25T (транзистор)
Код товару: 87316 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTQ76N25T IXTQ76N25T Виробник : IXYS media-3320179.pdf MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
товар відсутній