Продукція > IXYS > IXTQ76N25T
IXTQ76N25T

IXTQ76N25T IXYS

IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 148ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.23 грн
3+366.31 грн
4+291.21 грн
9+275.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ76N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ76N25T за ціною від 215.67 грн до 525.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ76N25T IXTQ76N25T Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+477.14 грн
30+428.17 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T IXTQ76N25T Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94 Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.04 грн
30+294.37 грн
120+251.89 грн
510+215.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T IXTQ76N25T Виробник : IXYS media-3320179.pdf MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.11 грн
10+466.16 грн
30+273.67 грн
120+244.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T IXTQ76N25T Виробник : IXYS IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 148ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.87 грн
3+456.48 грн
4+349.45 грн
9+330.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T (транзистор)
Код товару: 87316
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.