Продукція > IXYS > IXTQ82N25P
IXTQ82N25P

IXTQ82N25P IXYS

IXTK82N25P-DTE.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P
Mounting: THT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 142nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 82A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 38mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+807.89 грн
3+471.24 грн
6+444.83 грн
30+429.97 грн
60+428.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ82N25P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm.

Інші пропозиції IXTQ82N25P за ціною від 377.97 грн до 932.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ82N25P IXTQ82N25P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=7FBDF9A5-D531-4D18-A52F-B9209258C989&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-82N25P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.68 грн
30+472.44 грн
60+434.57 грн
120+377.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P IXTQ82N25P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_82N25P_Datasheet.PDF MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+889.05 грн
10+482.75 грн
120+411.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P IXTQ82N25P IXYS SEMICONDUCTOR media?resourcetype=datasheets&itemid=7FBDF9A5-D531-4D18-A52F-B9209258C989&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-82N25P-Datasheet.PDF Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P Ixys Corporation media?resourcetype=datasheets&itemid=7FBDF9A5-D531-4D18-A52F-B9209258C989&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-82N25P-Datasheet.PDF Trans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+932.87 грн
18+826.56 грн
30+796.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P media?resourcetype=datasheets&itemid=7FBDF9A5-D531-4D18-A52F-B9209258C989&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-82N25P-Datasheet.PDF
IXTQ82N25P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+820.68 грн
30+472.44 грн
60+434.57 грн
120+377.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_82N25P_Datasheet.PDF
IXTQ82N25P
Виробник: IXYS
MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+889.05 грн
10+482.75 грн
120+411.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P media?resourcetype=datasheets&itemid=7FBDF9A5-D531-4D18-A52F-B9209258C989&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-82N25P-Datasheet.PDF
IXTQ82N25P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25P media?resourcetype=datasheets&itemid=7FBDF9A5-D531-4D18-A52F-B9209258C989&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-82N25P-Datasheet.PDF
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+932.87 грн
18+826.56 грн
30+796.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.