Продукція > IXYS > IXTQ88N30P
IXTQ88N30P

IXTQ88N30P IXYS

IXTH88N30P-DTE.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.74 грн
5+694.81 грн
10+616.58 грн
30+577.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ88N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ88N30P за ціною від 410.44 грн до 900.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ88N30P IXTQ88N30P Виробник : IXYS media-3322045.pdf MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 538 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.63 грн
10+761.05 грн
30+643.62 грн
60+607.98 грн
120+571.64 грн
270+553.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P IXTQ88N30P Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9217C088-31F7-40FF-AEF6-3D755C2C3250&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-88N30P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.17 грн
30+526.36 грн
120+451.71 грн
510+410.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30P IXTQ88N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.