IXTQ88N30P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 885.29 грн |
| 30+ | 517.66 грн |
| 120+ | 444.24 грн |
| 510+ | 403.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ88N30P IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ88N30P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTQ88N30P | IXYS |
MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds |
на замовлення 538 шт: термін постачання 308-317 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTQ88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 538 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)



