IXTQ96N20P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 96A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 96A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 511.26 грн |
3+ | 359.15 грн |
7+ | 339.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ96N20P IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ96N20P за ціною від 341.48 грн до 649.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTQ96N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 96A Power dissipation: 600W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTQ96N20P | Виробник : IXYS | MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTQ96N20P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTQ96N20P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTQ96N20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V |
товар відсутній |