
IXTR102N65X2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1372.77 грн |
30+ | 882.41 грн |
120+ | 852.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR102N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTR102N65X2 за ціною від 971.10 грн до 1568.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTR102N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTR102N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXTR102N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Power dissipation: 330W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXTR102N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Power dissipation: 330W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns |
товару немає в наявності |