Продукція > IXYS > IXTR120P20T
IXTR120P20T

IXTR120P20T IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr120p20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTR120P20T IXYS

Description: MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTR120P20T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTR120P20T IXTR120P20T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTR120P20T_Datasheet.PDF MOSFETs TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR120P20T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTR120P20T_Datasheet.PDF
IXTR120P20T
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.