Продукція > IXYS > IXTR140P10T
IXTR140P10T

IXTR140P10T IXYS

DS100376BIXTR140P10T.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 110A ISOPLUS247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTR140P10T IXYS

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -110A, Power dissipation: 270W, Case: ISOPLUS247™, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 400nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 130ns, Technology: TrenchP™.

Інші пропозиції IXTR140P10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTR140P10T IXTR140P10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTR140P10T_Datasheet.PDF MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR140P10T IXTR140P10T IXYS IXTR140P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
Power dissipation: 270W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR140P10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTR140P10T_Datasheet.PDF
IXTR140P10T
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR140P10T IXTR140P10T.pdf
IXTR140P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
Power dissipation: 270W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.