Продукція > IXYS > IXTR20P50P

IXTR20P50P IXYS


DS99983(IXTR20P50P).pdf Виробник: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
на замовлення 34 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1060.48 грн
2+ 751.9 грн
4+ 711.01 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTR20P50P IXYS

Description: MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTR20P50P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTR20P50P IXTR20P50P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr20p50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 13A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товар відсутній
IXTR20P50P IXTR20P50P Виробник : IXYS DS99983(IXTR20P50P).pdf Description: MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTR20P50P IXTR20P50P Виробник : IXYS ixys_s_a0002788762_1-2272506.pdf MOSFET -13 Amps -500V 0.490 Rds
товар відсутній