.jpg "IXTR210P10T")
IXTR210P10T IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 1730.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR210P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 105A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTR210P10T за ціною від 1640.76 грн до 2325.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTR210P10T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -195A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Gate charge: 740nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTR210P10T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -195A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Gate charge: 740nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTR210P10T | Виробник : IXYS |
MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs |
товару немає в наявності |