Продукція > IXYS > IXTR36P15P
IXTR36P15P

IXTR36P15P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA02959DD0F78BF&compId=IXTR36P15P.pdf?ci_sign=7d9e4cf04ef12fee99949599ef3d6caa0088dafd Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -22A
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+428.50 грн
3+351.65 грн
10+315.76 грн
30+295.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTR36P15P IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTR36P15P за ціною від 354.04 грн до 514.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTR36P15P IXTR36P15P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA02959DD0F78BF&compId=IXTR36P15P.pdf?ci_sign=7d9e4cf04ef12fee99949599ef3d6caa0088dafd Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -22A
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.20 грн
3+438.21 грн
10+378.92 грн
30+354.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15P IXTR36P15P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15P IXTR36P15P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTR36P15P_Datasheet.PDF MOSFETs -22.0 Amps -150V 0.120 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.