Продукція > IXYS > IXTR36P15P

IXTR36P15P IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXTR36P15P THT P channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+835.44 грн
2+585.56 грн
6+553.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTR36P15P IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTR36P15P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTR36P15P IXTR36P15P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15P IXTR36P15P Виробник : IXYS media-3322957.pdf MOSFETs -22.0 Amps -150V 0.120 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.