Продукція > IXYS > IXTR48P20P
IXTR48P20P

IXTR48P20P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242 Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.44 грн
3+430.46 грн
6+407.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTR48P20P IXYS

Description: MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTR48P20P за ціною від 488.58 грн до 710.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTR48P20P IXTR48P20P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+710.93 грн
3+536.42 грн
6+488.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr48p20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR48P20P-Datasheet.PDF?assetguid=B87E3A50-EF94-4FF7-A731-EE21735ACBE0 Description: MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20P IXTR48P20P Виробник : IXYS media-3322499.pdf MOSFETs -30.0 Amps -200V 0.093 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.