
IXTR90P10P IXYS

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -57A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR90P10P IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns, Technology: PolarP™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -57A, Gate charge: 0.12µC, Reverse recovery time: 144ns, On-state resistance: 27mΩ, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 190W, Case: ISOPLUS247™, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTR90P10P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTR90P10P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTR90P10P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTR90P10P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -57A Gate charge: 0.12µC Reverse recovery time: 144ns On-state resistance: 27mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 190W Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |