IXTR90P10P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -57A
Power dissipation: 190W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 144ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR90P10P IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: PolarP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -57A, Power dissipation: 190W, Case: ISOPLUS247™, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 27mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 0.12µC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 144ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTR90P10P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTR90P10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247 |
товар відсутній |
|
 |
IXTR90P10P | Виробник : IXYS |
MOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXTR90P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -57A Power dissipation: 190W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 144ns |
товар відсутній |