Продукція > IXYS > IXTR90P10P
IXTR90P10P

IXTR90P10P IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA06CD750E378BF&compId=IXTR90P10P.pdf?ci_sign=d99e0f8c856a9cad4c5296bc1863b57210e9c675 Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -57A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTR90P10P IXYS

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns, Technology: PolarP™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -57A, Gate charge: 0.12µC, Reverse recovery time: 144ns, On-state resistance: 27mΩ, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 190W, Case: ISOPLUS247™, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTR90P10P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTR90P10P IXTR90P10P Виробник : IXYS DS99985B(IXTR90P10P).pdf Description: MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P10P IXTR90P10P Виробник : IXYS DS99985B(IXTR90P10P)-1110327.pdf MOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P10P IXTR90P10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA06CD750E378BF&compId=IXTR90P10P.pdf?ci_sign=d99e0f8c856a9cad4c5296bc1863b57210e9c675 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -57A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.