IXTR90P20P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Power dissipation: 312W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 48mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Mounting: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR90P20P IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns, Power dissipation: 312W, Gate charge: 205nC, Polarisation: unipolar, Technology: PolarP™, Drain current: -53A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -200V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 48mΩ, Reverse recovery time: 315ns, Mounting: THT.
Інші пропозиції IXTR90P20P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTR90P20P | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTR90P20P |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
Description: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)