
IXTT02N450HV IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 113W
Case: TO268HV
On-state resistance: 625Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1770.90 грн |
2+ | 1554.80 грн |
30+ | 1495.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT02N450HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTT02N450HV за ціною від 1376.43 грн до 2755.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTT02N450HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 113W Case: TO268HV On-state resistance: 625Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTT02N450HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTT02N450HV | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTT02N450HV | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTT02N450HV | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTT02N450HV Код товару: 147874
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
IXTT02N450HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTT02N450HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |