Інші пропозиції IXTT02N450HV за ціною від 1567.18 грн до 3186.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTT02N450HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Drain current: 0.2A On-state resistance: 625Ω Power dissipation: 113W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTT02N450HV | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268 |
на замовлення 7413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTT02N450HV | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTT02N450HV | IXYS |
MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXTT02N450HV | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTT02N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2235.32 грн |
| 5+ | 1841.67 грн |
| 10+ | 1693.23 грн |
| 30+ | 1595.11 грн |
| IXTT02N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2811.54 грн |
| 30+ | 1792.08 грн |
| 60+ | 1683.53 грн |
| 120+ | 1567.18 грн |
| IXTT02N450HV |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 3186.62 грн |
| 10+ | 2972.78 грн |
| 30+ | 2894.89 грн |
| IXTT02N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTT02N450HV |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






