Продукція > IXYS > IXTT02N450HV
IXTT02N450HV

IXTT02N450HV IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1471820&compId=IXTA(T)02N450HV.pdf?ci_sign=035071321f59a72a8b4bd172f91c4d79fad9fbe1 Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 113W
Case: TO268HV
On-state resistance: 625Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1770.90 грн
2+1554.80 грн
30+1495.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT02N450HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTT02N450HV за ціною від 1376.43 грн до 2755.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT02N450HV IXTT02N450HV Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1471820&compId=IXTA(T)02N450HV.pdf?ci_sign=035071321f59a72a8b4bd172f91c4d79fad9fbe1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 113W
Case: TO268HV
On-state resistance: 625Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2125.08 грн
2+1937.52 грн
30+1794.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXTT02N450HV Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3 Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2320.68 грн
30+1518.77 грн
120+1484.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXTT02N450HV Виробник : IXYS media-3321478.pdf MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2362.04 грн
10+2152.13 грн
30+1608.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXTT02N450HV Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007923924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2383.78 грн
5+2002.00 грн
10+1620.22 грн
50+1498.20 грн
100+1376.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXTT02N450HV Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+2755.59 грн
10+2570.67 грн
30+2503.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV
Код товару: 147874
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXTT02N450HV Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV IXTT02N450HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.