IXTT02N450HV LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750ohm
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2210.64 грн |
| 5+ | 2124.9 грн |
| 10+ | 2039.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT02N450HV LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 750ohm, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTT02N450HV за ціною від 2249.55 грн до 2282.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT02N450HV | Виробник : IXYS |
MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET |
на замовлення 850 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||
|
IXTT02N450HV Код товару: 147874 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||
 |
IXTT02N450HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXTT02N450HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXTT02N450HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Drain current: 0.2A Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 625Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXTT02N450HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXTT02N450HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Drain current: 0.2A Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 625Ω |
товар відсутній |