Продукція > LITTELFUSE > IXTT10P60
IXTT10P60

IXTT10P60 Littelfuse

lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT10P60 Littelfuse

Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT10P60 за ціною від 757.65 грн до 1124.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT10P60 IXTT10P60 Виробник : IXYS media-3323159.pdf MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1124.95 грн
10+757.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60 IXTT10P60 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60 IXTT10P60 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E678466B5B8BF&compId=IXT_10P60.pdf?ci_sign=1f66270f133ab710d995425d2a54122a9b741bbc Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60 IXTT10P60 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60 IXTT10P60 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E678466B5B8BF&compId=IXT_10P60.pdf?ci_sign=1f66270f133ab710d995425d2a54122a9b741bbc Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.