на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1534.63 грн |
| 10+ | 1511.02 грн |
| 30+ | 1059.38 грн |
| 60+ | 1018.92 грн |
| 120+ | 981.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT110N10L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTT110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-268, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTT110N10L2 за ціною від 921.02 грн до 1623.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT110N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTT110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-268tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTT110N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXTT110N10L2 | Виробник : IXYS |
IXTT110N10L2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IXTT110N10L2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |