Продукція > IXYS > IXTT11P50-TRL
IXTT11P50-TRL

IXTT11P50-TRL IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_11P50_Da-1623440.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Modules IXTT11P50 TRL
на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+968.39 грн
10+841.46 грн
25+711.89 грн
50+672.26 грн
100+632.63 грн
250+607.68 грн
400+535.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT11P50-TRL IXYS

Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO268, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT11P50-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT11P50-TRL IXTT11P50-TRL Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRL IXTT11P50-TRL Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRL Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.