на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1190.13 грн |
| 10+ | 1172.36 грн |
| 30+ | 909.29 грн |
| 60+ | 898.61 грн |
| 120+ | 785.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT12N150 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT12N150 за ціною від 901.31 грн до 993.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTT12N150 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IXTT12N150 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
товар відсутній |
|||||||||
| IXTT12N150 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
товар відсутній |
||||||||||
| IXTT12N150 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
товар відсутній |
||||||||||
 |
IXTT12N150 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268; 1.2us Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 106nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: TO268 Reverse recovery time: 1.2µs Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 12A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXTT12N150 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXTT12N150 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268; 1.2us Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 106nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: TO268 Reverse recovery time: 1.2µs Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 12A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |