IXTT12N150 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTT12N150 - MOSFET, N-CH, 1.5KV, 12A, TO-268, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5, Dauer-Drainstrom Id: 12, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 890, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, Verlustleistung: 890, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2, SVHC: To Be Advised.