Продукція > IXYS > IXTT140N075L2HV

IXTT140N075L2HV IXYS


Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO268HV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT140N075L2HV IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 540W; TO268HV; 200ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 140A, Power dissipation: 540W, Case: TO268HV, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 275nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: linear power mosfet, Reverse recovery time: 200ns.

Інші пропозиції IXTT140N075L2HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTT140N075L2HV IXTT140N075L2HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_140N075_Datasheet.PDF MOSFETs TO268 N-CH 75V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HV IXTT140N075L2HV IXYS IXTT140N075L2_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 540W; TO268HV; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 540W
Case: TO268HV
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HV Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_140N075_Datasheet.PDF
IXTT140N075L2HV
Виробник: IXYS
MOSFETs TO268 N-CH 75V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HV IXTT140N075L2_HV.pdf
IXTT140N075L2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 540W; TO268HV; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 540W
Case: TO268HV
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.