IXTT140N10P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 876.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT140N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT140N10P за ціною від 451.60 грн до 941.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTT140N10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTT140N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IXTT140N10P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Technology: PolarHT™ |
товару немає в наявності |

