
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 1128.01 грн |
12+ | 1093.58 грн |
20+ | 1064.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT140P10T Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTT140P10T за ціною від 856.67 грн до 3137.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 568W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTT140P10T | Виробник : IXYS | MOSFET P-Channel: Standard MOSFET |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -140A Power dissipation: 568W Case: TO268 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 130ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTT140P10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -140A Power dissipation: 568W Case: TO268 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 130ns |
товару немає в наявності |