Продукція > IXYS > IXTT140P10T
IXTT140P10T

IXTT140P10T IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1327.36 грн
30+ 1034.24 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT140P10T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IXTT140P10T за ціною від 982.73 грн до 3008.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTT140P10T IXTT140P10T Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007924819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1331.59 грн
5+ 1252.2 грн
10+ 1172.82 грн
50+ 1015.33 грн
IXTT140P10T IXTT140P10T Виробник : IXYS media-3321930.pdf MOSFET P-Channel: Standard MOSFET
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1440.93 грн
10+ 1250.67 грн
30+ 1058.83 грн
60+ 999.42 грн
120+ 982.73 грн
IXTT140P10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf MOSFET P-Channel: Standard MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3008.88 грн
IXTT140P10T IXTT140P10T Виробник : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXTT140P10T IXTT140P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXTT140P10T IXTT140P10T Виробник : IXYS IXT_140P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTT140P10T IXTT140P10T Виробник : IXYS IXT_140P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 130ns
товар відсутній