Продукція > LITTELFUSE > IXTT140P10T
IXTT140P10T

IXTT140P10T Littelfuse

telfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1310.51 грн
12+1270.51 грн
20+1236.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT140P10T Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTT140P10T за ціною від 810.76 грн до 1767.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTT140P10T IXTT140P10T IXYS DS100371BIXTHT140P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.37 грн
30+1001.92 грн
120+876.60 грн
510+810.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T IXTT140P10T Littelfuse telfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1753.07 грн
30+1187.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T IXTT140P10T Littelfuse telfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1767.02 грн
30+1197.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T IXTT140P10T IXYS media-3321930.pdf MOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T IXTT140P10T LITTELFUSE DS100371BIXTHT140P10T.pdf Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T DS100371BIXTHT140P10T.pdf
IXTT140P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1636.37 грн
30+1001.92 грн
120+876.60 грн
510+810.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T telfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf
IXTT140P10T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1753.07 грн
30+1187.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T telfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf
IXTT140P10T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1767.02 грн
30+1197.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T media-3321930.pdf
IXTT140P10T
Виробник: IXYS
MOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T DS100371BIXTHT140P10T.pdf
IXTT140P10T
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.