Технічний опис IXTT16N10D2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT16N10D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTT16N10D2 | Виробник : IXYS |
 IXTT16N10D2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTT16N10D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTT16N10D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTT16N10D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTT16N10D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs |
товару немає в наявності |