IXTT16N10D2
Виробник:
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 Транзистори
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT16N10D2
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO268, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-268AA, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V.
Інші пропозиції IXTT16N10D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT16N10D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO268 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-268AA Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTT16N10D2 | IXYS |
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTT16N10D2 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTT16N10D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.