IXTT16N10D2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 947.5 грн |
| 10+ | 838.2 грн |
| 25+ | 803.53 грн |
| 100+ | 664.39 грн |
| 250+ | 631.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT16N10D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT16N10D2 за ціною від 732.37 грн до 1101.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT16N10D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTT16N10D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXTT16N10D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO268; 940ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 830W Case: TO268 On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 940ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXTT16N10D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXTT16N10D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXTT16N10D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO268; 940ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 830W Case: TO268 On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 940ns |
товар відсутній |