IXTT16N20D2 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT16N20D2 - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
Verlustleistung Pd: 695
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1040.26 грн |
| 5+ | 998.32 грн |
| 10+ | 955.63 грн |
| 25+ | 819.22 грн |
| 100+ | 692.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT16N20D2 LITTELFUSE
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT16N20D2 за ціною від 745.06 грн до 1141.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT16N20D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs |
на замовлення 276 шт: термін постачання 524-533 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTT16N20D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTT16N20D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO268; 607ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 607ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTT16N20D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTT16N20D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO268; 607ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 607ns |
товар відсутній |