Продукція > IXYS > IXTT16N20D2
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2 IXYS


media-3321666.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
на замовлення 330 шт:

термін постачання 434-443 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1207.62 грн
10+1189.52 грн
30+857.80 грн
60+825.44 грн
120+733.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT16N20D2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTT16N20D2 - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268, tariffCode: 85364900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції IXTT16N20D2 за ціною від 930.21 грн до 1339.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT16N20D2 IXTT16N20D2 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTT16N20D2 - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1339.44 грн
5+1275.89 грн
10+1213.17 грн
25+1066.74 грн
100+930.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2 IXTT16N20D2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_16n20_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2 IXTT16N20D2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2 IXTT16N20D2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2 IXTT16N20D2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.