на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1637.11 грн |
| 10+ | 1325.07 грн |
| 30+ | 1119.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT16N50D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT16N50D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT16N50D2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTT16N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 130ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 695W Case: TO268 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTT16N50D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTT16N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 130ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 695W Case: TO268 |
товару немає в наявності |