IXTT16P60P IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 440ns
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1046.46 грн |
| 2+ | 664.41 грн |
| 4+ | 627.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT16P60P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXTT16P60P за ціною від 578.16 грн до 1521.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTT16P60P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTT16P60P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -16A Power dissipation: 460W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 720mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 440ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTT16P60P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |