на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 929.19 грн |
| 10+ | 790.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT16P60P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 460W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: P Channel, Kanaltyp: P Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, directShipCharge: 25, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTT16P60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT16P60P | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
товар відсутній |
|
 |
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
|
|
IXTT16P60P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
 |
IXTT16P60P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Technology: PolarP™ Drain current: -16A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -600V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube On-state resistance: 720mΩ Reverse recovery time: 440ns Power dissipation: 460W Gate charge: 92nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTT16P60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTT16P60P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Technology: PolarP™ Drain current: -16A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -600V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube On-state resistance: 720mΩ Reverse recovery time: 440ns Power dissipation: 460W Gate charge: 92nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |