Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTT170N10P
IXTT170N10P

IXTT170N10P Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1014.41 грн
30+593.87 грн
120+510.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT170N10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-268AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V.

Інші пропозиції IXTT170N10P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTT170N10P IXTT170N10P IXYS media-3319689.pdf MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXTT170N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXTT170N10P Littelfuse iscrete-mosfets-n-channel-standard-ixt-170n10p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P media-3319689.pdf
IXTT170N10P
Виробник: IXYS
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXYS-S-A0008595624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTT170N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P iscrete-mosfets-n-channel-standard-ixt-170n10p-datasheet.pdf
IXTT170N10P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.