IXTT170N10P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1038.01 грн |
| 30+ | 607.69 грн |
| 120+ | 521.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT170N10P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-268AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IXTT170N10P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTT170N10P | IXYS |
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTT170N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



