IXTT170N10P IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Case: TO268
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 885.53 грн |
| 2+ | 591.61 грн |
| 5+ | 559.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT170N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT170N10P за ціною від 524.95 грн до 1062.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT170N10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 715W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTT170N10P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268 Case: TO268 Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 170A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 715W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 198nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTT170N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTT170N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IXTT170N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IXTT170N10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds |
товару немає в наявності |