IXTT1N250HV-TRL IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT1N250HV-TRL IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT1N250HV-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTT1N250HV-TRL | IXYS |
MOSFETs IXTT1N250HV TRL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTT1N250HV-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs IXTT1N250HV TRL
MOSFETs IXTT1N250HV TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.



