Продукція > IXYS > IXTT1N250HV
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtt1n250hv_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3105.36 грн
10+ 2664.61 грн
100+ 2338.88 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT1N250HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT1N250HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTT1N250HV IXTT1N250HV Виробник : IXYS ixyss06641_1-2272243.pdf MOSFET MSFT N-CH STD-VERY HI VOLTAGE
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTT1N250HV IXTT1N250HV Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixtt1n250hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
товар відсутній
IXTT1N250HV IXTT1N250HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
товар відсутній
IXTT1N250HV IXTT1N250HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
товар відсутній
IXTT1N250HV IXTT1N250HV Виробник : IXYS IXTT1N250HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 1.5A; Idm: 6A; 250W; TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2.5kV
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTT1N250HV IXTT1N250HV Виробник : IXYS IXTT1N250HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 1.5A; Idm: 6A; 250W; TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2.5kV
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.5µs
товар відсутній