Продукція > IXYS > IXTT1N250HV
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2923.73 грн
10+2102.36 грн
100+2060.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT1N250HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-268AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTT1N250HV за ціною від 3028.59 грн до 3028.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTT1N250HV IXTT1N250HV Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelstandardixtt1n250hvdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3028.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV IXTT1N250HV Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelstandardixtt1n250hvdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3028.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV IXTT1N250HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTT1N250HV_Datasheet.PDF MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV IXTT1N250HV IXYS RF LFSI-S-A0007924066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS RF - IXTT1N250HV - MOSFET, N-CH, 2.5KV, 1.5A, TO-268
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV lfusediscretemosfetsnchannelstandardixtt1n250hvdatasheet.pdf
IXTT1N250HV
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+3028.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV lfusediscretemosfetsnchannelstandardixtt1n250hvdatasheet.pdf
IXTT1N250HV
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+3028.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTT1N250HV_Datasheet.PDF
IXTT1N250HV
Виробник: IXYS
MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV LFSI-S-A0007924066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTT1N250HV
Виробник: IXYS RF
Description: IXYS RF - IXTT1N250HV - MOSFET, N-CH, 2.5KV, 1.5A, TO-268
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.