IXTT20N50D

IXTT20N50D Littelfuse


ds99192bixth-t20n50d.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT20N50D Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT20N50D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTT20N50D IXTT20N50D Виробник : Ixys Corporation ds99192bixth-t20n50d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній
IXTT20N50D IXTT20N50D Виробник : IXYS 99192.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTT20N50D IXTT20N50D Виробник : IXYS DS99192B_IXTH_T20N50D_-3311033.pdf MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
товар відсутній