
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
240+ | 565.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT20P50P Littelfuse
Description: MOSFET P-CH 500V 20A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT20P50P за ціною від 495.68 грн до 1242.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXTT20P50P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IXTT20P50P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |