IXTT220N20X4HV LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTT220N20X4HV - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0041 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: LITTELFUSE - IXTT220N20X4HV - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0041 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1340.58 грн |
5+ | 1260.44 грн |
10+ | 1180.31 грн |
50+ | 1022.28 грн |
100+ | 874.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT220N20X4HV LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTT220N20X4HV - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0041 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IXTT220N20X4HV за ціною від 794.46 грн до 1342.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTT220N20X4HV | Виробник : IXYS | MOSFET DISCRETE MOSFET 220A 200V X4 T |
на замовлення 1812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTT220N20X4HV | Виробник : Littelfuse | Discrete MOSFET 220A 200V X4 TO268HV |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXTT220N20X4HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V |
товар відсутній |