IXTT24P20 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 24A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 24A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 908.81 грн |
| 30+ | 547.75 грн |
| 120+ | 491.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT24P20 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 24A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT24P20 за ціною від 569.42 грн до 973.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT24P20 | Виробник : IXYS |
 MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IXTT24P20 | Виробник : IXYS | IXTT24P20 SMD P channel transistors |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IXTT24P20 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IXTT24P20 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |