IXTT24P20 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO268; 250ns
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 736.19 грн |
| 2+ | 517.4 грн |
| 5+ | 488.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT24P20 IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 24A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT24P20 за ціною від 474.38 грн до 883.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT24P20 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 24A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTT24P20 | Виробник : IXYS |
MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTT24P20 | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO268; 250ns Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Power dissipation: 300W Gate charge: 150nC Polarisation: unipolar Drain current: -24A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -200V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTT24P20 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTT24P20 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |