IXTT26N50P

IXTT26N50P Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT26N50P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT26N50P за ціною від 253.13 грн до 874.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+253.13 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+271.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+874.15 грн
30+502.05 грн
120+427.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_26n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : IXYS media-3322826.pdf MOSFETs 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXTT26N50P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.