на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1941.13 грн |
| 10+ | 1822.25 грн |
| 30+ | 1455.1 грн |
| 60+ | 1433.97 грн |
| 120+ | 1406.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT2N170D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 2A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 568W (Tc), Supplier Device Package: TO-268AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT2N170D2 за ціною від 1491.02 грн до 1992.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT2N170D2 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1700V 2A TO268Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Supplier Device Package: TO-268AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTT2N170D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXTT2N170D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 2A; 568W; TO268; 80ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 2A Power dissipation: 568W Case: TO268 On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 80ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXTT2N170D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 2A; 568W; TO268; 80ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 2A Power dissipation: 568W Case: TO268 On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 80ns |
товар відсутній |