IXTT2N170D2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2163.93 грн |
| 30+ | 1359.13 грн |
| 120+ | 1318.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT2N170D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 2A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V, Power Dissipation (Max): 568W (Tc), Supplier Device Package: TO-268AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT2N170D2 за ціною від 1532.52 грн до 2405.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT2N170D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 1700V 2A |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTT2N170D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTT2N170D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 2A; 568W; TO268; 80ns Case: TO268 Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 2A Drain-source voltage: 1.7kV Reverse recovery time: 80ns On-state resistance: 6.5Ω Power dissipation: 568W Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |