Продукція > LITTELFUSE > IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV Littelfuse

Name: IXTT34N65X2HV
Brand: IXYS
SKU: 459857745-1
Price: 761.57 UAH
Availability: BackOrder

ets_n-channel_ultra_junction_ixtt34n65x2hv_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D3PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTT34N65X2HV Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT34N65X2HV

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTT34N65X2HV	Виробник : IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO268HV; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO268HV On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 54nC кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTT34N65X2HV	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTT34N65X2HV	Виробник : IXYS	MOSFETs TO268 650V 34A N-CH X4CLASS	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTT34N65X2HV	Виробник : IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO268HV; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO268HV On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 54nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.