| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1088.72 грн |
| 30+ | 643.18 грн |
| 60+ | 594.93 грн |
| 120+ | 520.24 грн |
| 510+ | 480.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT360N055T2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 360A, Power dissipation: 935W, Case: TO268, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 330nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 78ns.
Інші пропозиції IXTT360N055T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT360N055T2 | IXYS |
 MOSFETs 360Amps 55V |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTT360N055T2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 360Amps 55V
MOSFETs 360Amps 55V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)