IXTT360N055T2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 360A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 947.99 грн |
| 30+ | 554.72 грн |
| 120+ | 476.19 грн |
| 510+ | 433.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT360N055T2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 360A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 935W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT360N055T2 за ціною від 523.48 грн до 951.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT360N055T2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 360Amps 55V |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTT360N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 360A Power dissipation: 935W Case: TO268 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 330nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 78ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXTT360N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 360A Power dissipation: 935W Case: TO268 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 330nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 78ns |
товару немає в наявності |