IXTT36N50P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 766.95 грн |
30+ | 597.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT36N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT36N50P за ціною від 478.68 грн до 824.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTT36N50P | Виробник : IXYS | MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 224-233 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTT36N50P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTT36N50P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXTT36N50P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTT36N50P | Виробник : IXYS | IXTT36N50P SMD N channel transistors |
товар відсутній |