на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3974.77 грн |
| 10+ | 3490.74 грн |
| 30+ | 2936.11 грн |
| 60+ | 2815.45 грн |
| 120+ | 2664.64 грн |
| 270+ | 2569.74 грн |
| 510+ | 2543.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT3N200P3HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT3N200P3HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT3N200P3HV | Виробник : Littelfuse |
 Power Mosfet |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTT3N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO268HV; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 3A Power dissipation: 520W Case: TO268HV On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 420ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTT3N200P3HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTT3N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO268HV; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 3A Power dissipation: 520W Case: TO268HV On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 420ns |
товару немає в наявності |