Продукція > IXYS > IXTT500N04T2
IXTT500N04T2

IXTT500N04T2 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4EC341BB65820&compId=IXTH(T)500N04T2.pdf?ci_sign=fb6c11af8f98e6c971678d0a7c1e31c1713e7404 Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO268; 84ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Reverse recovery time: 84ns
Gate charge: 405nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT500N04T2 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO268; 84ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 500A, Reverse recovery time: 84ns, Gate charge: 405nC, On-state resistance: 1.6mΩ, Power dissipation: 1kW, Case: TO268, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTT500N04T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT500N04T2 IXTT500N04T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 500A TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT500N04T2 IXTT500N04T2 Виробник : IXYS ixyss05130_1-2272210.pdf MOSFET Trench T2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT500N04T2 IXTT500N04T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4EC341BB65820&compId=IXTH(T)500N04T2.pdf?ci_sign=fb6c11af8f98e6c971678d0a7c1e31c1713e7404 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO268; 84ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Reverse recovery time: 84ns
Gate charge: 405nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.