Продукція > IXYS > IXTT50P10
IXTT50P10

IXTT50P10 IXYS

IXT_50P10.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 55mΩ
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+672.35 грн
3+552.19 грн
10+495.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT50P10 IXYS

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns, Mounting: SMD, Power dissipation: 300W, Gate charge: 0.14µC, Polarisation: unipolar, Drain current: -50A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -100V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO268, On-state resistance: 55mΩ, Reverse recovery time: 180ns.

Інші пропозиції IXTT50P10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS DS98905E(IXTH-T50P10).pdf Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_50P10_Datasheet.PDF MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 DS98905E(IXTH-T50P10).pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_50P10_Datasheet.PDF
IXTT50P10
Виробник: IXYS
MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.