IXTT50P10 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO268
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 682.13 грн |
| 3+ | 560.22 грн |
| 10+ | 503.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT50P10 IXYS
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -50A, Gate charge: 0.14µC, Reverse recovery time: 180ns, On-state resistance: 55mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 300W, Kind of package: tube, Case: TO268.
Інші пропозиції IXTT50P10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT50P10 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTT50P10 | Виробник : IXYS |
MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds |
товару немає в наявності |