на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1510.35 грн |
| 10+ | 1279.31 грн |
| 30+ | 875.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT60N20L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT60N20L2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT60N20L2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|
| IXTT60N20L2 | Виробник : IXYS |
IXTT60N20L2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTT60N20L2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |