Продукція > IXYS > IXTT68P20T
IXTT68P20T

IXTT68P20T IXYS

media-3319818.pdf Виробник: IXYS
MOSFET TrenchP Power MOSFET
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1491.17 грн
10+1319.79 грн
30+1128.31 грн
60+1077.90 грн
120+981.22 грн
270+963.96 грн
510+886.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT68P20T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTT68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 568W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IXTT68P20T за ціною від 835.19 грн до 1550.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT68P20T IXTT68P20T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1523.37 грн
30+923.85 грн
120+835.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T IXTT68P20T Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTT68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 568W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1550.79 грн
10+1425.11 грн
30+1203.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTT68P20T SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1295.64 грн
3+1224.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T IXTT68P20T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 68A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.