IXTT6N120 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
Packaging: Box
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 871.67 грн |
| 10+ | 771.51 грн |
| 100+ | 651.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT6N120 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO268, Packaging: Box, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT6N120 за ціною від 547.44 грн до 922.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT6N120 | Виробник : IXYS |
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTT6N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTT6N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTT6N120 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 850ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTT6N120 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 850ns |
товар відсутній |