IXTT80N20L IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1303.45 грн |
| 30+ | 1040.76 грн |
| 120+ | 975.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT80N20L IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTT80N20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Linear Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IXTT80N20L за ціною від 969.15 грн до 1415.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT80N20L | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTT80N20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Linear Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTT80N20L | Виробник : IXYS |
MOSFET Standard Linear Power MOSFETs |
на замовлення 380 шт: термін постачання 453-462 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTT80N20L | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IXTT80N20L | Виробник : IXYS |
IXTT80N20L SMD N channel transistors |
товар відсутній |