IXTT82N25P

IXTT82N25P Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+749.47 грн
30+458.02 грн
120+407.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT82N25P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO268, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-268AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTT82N25P за ціною від 413.07 грн до 811.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT82N25P IXTT82N25P Виробник : IXYS media-3321447.pdf MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.31 грн
10+776.53 грн
30+440.19 грн
120+413.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.