Продукція > IXYS > IXTT88N30P
IXTT88N30P

IXTT88N30P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90E84BAF03DE27&compId=IXTH88N30P-DTE.pdf?ci_sign=e30dabb5ca243df6b068c69b7e46217ddc0360dc Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: PolarHT™
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.44 грн
2+738.64 грн
4+698.18 грн
10+671.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT88N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT88N30P за ціною від 593.38 грн до 1169.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT88N30P IXTT88N30P Виробник : IXYS media-3322045.pdf MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1077.86 грн
10+936.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P IXTT88N30P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90E84BAF03DE27&compId=IXTH88N30P-DTE.pdf?ci_sign=e30dabb5ca243df6b068c69b7e46217ddc0360dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1123.72 грн
2+920.46 грн
4+837.81 грн
10+805.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P IXTT88N30P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1169.11 грн
30+689.05 грн
120+593.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P IXTT88N30P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.